江苏多维科技推出具有无源磁记忆效应的双稳态 TMR 磁开关传感器

加利福尼亚州圣何塞和中国江苏省张家港市2019年12月16日  /美通社/ –专业的隧道磁阻 (TMR) 磁传感器领先供应商江苏多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT) 日前发布了三款双稳态 TMR 磁开关传感器 TMR1212/TMR1213/TMR1215。这三款新产品是低功耗的双极型 TMR 开关传感器，可以在掉电的情况下无需电源供电即可探测并存储由磁场极性触发的开/关状态。这种无源磁记忆效应非常适用于电梯门平层开关、磁翻板液位计、非接触磁旋钮，以及许多需要在位置和速度测量中进行故障保护操作的工业应用。

在出现断电故障的情况下，TMR1212/TMR1213/TMR1215 可以无源地保存传感器的开/关状态。在恢复电源供电后，传感器可以立即输出最近一次更新的状态。它们支持全时供电模式下的高速操作，同时具有1.5微安的低功耗。开关灵敏度设定在20至90高斯之间，可以支持各种使用条件。

多维科技董事长兼首席执行官薛松生博士指出：“在市场上包括霍尔效应、各向异性磁阻 (AMR)、巨磁阻 (GMR) 和 TMR 的所有基于半导体技术的磁传感器产品中，MDT 的双稳态 TMR 开关是唯一能够实现无源磁记忆功能的产品。磁保持干簧管 (Reed switch) 可以通过附加的一对磁铁实现锁存的功能，致使它的体积会很大。与之相比，我们的双稳态 TMR 开关传感器采用标准的 SOT23 或 TO92 封装，占用空间非常小，在成本效益上有更强的竞争力，具有更高的可靠性以及无源磁记忆操作与低功耗的高速有源模式的独特结合。得益于 MDT 强大的知识产权组合和先进的制造设备，我们能够为客户提供 TMR 技术的最佳价值。在不断增长的 TMR 传感器产品系列中，我们的 TMR 技术结合了现有磁传感器技术的主要优势，同时也克服了它们的局限性。”

MDT 是业内首家的 TMR 传感器批量供应商。MDT 采用其专利的 TMR 技术和自有的生产设备进行设计和制造的 TMR 传感器，具有许多独特的优势，包括低功耗、高灵敏度、低噪声和无源磁记忆效应。它们是各种工业、汽车、消费和医疗传感器应用的理想选择。